اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ™PRO 990 PCIe®4.0 NVMe ظرفیت چهار ترابایت

کنترل کننده

Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,600,000 IOPS

ظرفیت

چهار ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع حافظه فلش

TLC

قابلیت‌های حافظه

پشتیبانی از TRIM

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 7,450 MB/s

قابلیت‌های مقاومتی

مقاوم در برابر شوک

سرعت انتقال اطلاعات

10 گیگابیت بر ثانیه

مصرف برق

Average: 6.5 W

رابط‌ها

PCI-Express 4.0 x4

وزن

10 گرم