برند : سامسونگ
دستهبندی : حافظه SSD اینترنال
کنترل کننده
PHOENIX
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
450,000 IOPS
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
500,000 IOPS
ظرفیت
یک ترابایت
فرم فاکتور
M.2
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500G
میانگین عمر
طول عمر 600 TBW
نوع حافظه فلش
MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
2,500 MB/S
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
3,400 MB/S
قابلیتهای مقاومتی
مقاوم در برابر لرزش
وزن
8 گرم